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第一章 绪论
1.1 FinFET器件的技术背景
1.2 FinFET器件的分类
1.3总剂量辐射效应研究现状
1.4本文研究内容及安排
第二章 辐照效应基本理论
2.1辐射环境和分类
2.2总剂量效应作用机理
2.3总剂量效应对器件电学参数的影响
2.4总剂量效应对SOI器件的影响
2.5单粒子效应
2.6本章小结
第三章 SOI FinFET辐照效应仿真研究
3.1 TCAD Silvaco的介绍
3.2仿真模拟数值模型
3.3器件结构
3.4总剂量辐射效应的仿真分析
3.5单粒子效应
3.6本章小结
第四章 SOI FinFET基本器件特性与辐照效应研究
4.1器件的选择与实验测试
4.2基本电学特性实验测试
4.3不同器件尺寸辐照特性实验测试
4.4抗总剂量辐照设计
4.5本章小结
第五章 总结与展望
参考文献
致谢
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