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目录
第一章 绪论
1.1 研究背景和研究意义
1.2毫米波AlGaN/GaN HEMT器件国内外现状和目前存在的主要问题
1.3 本文的研究内容
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理
2.1 极化效应
2.2 二维电子气的产生原理
2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理
第三章毫米波AlGaN/GaN HEMT器件短沟道效应研究
3.1毫米波AlGaN/GaN HEMT器件制备和测试分析
3.2 AlGaN/GaN HEMT器件短沟道效应研究
3.3 本章小结
第四章毫米波AlGaN/GaN HEMT器件栅结构优化
4.1 栅阻Rg的计算
4.2 T栅对器件特性的影响
4.3 τ栅对器件特性的影响
4.4 Γ栅对器件特性的影响
4.5 本章小结
第五章带有背势垒结构的AlN/GaN HEMT器件研究
5.1 背势垒结构及AlN势垒层的优点
5.2渐变Al组分AlxGa1-xN背势垒工作原理
5.3带渐变Al组分AlGaN背势垒的AlN/GaN HEMT器件研究
5.4 本章小结
第六章 结论
6.1 本文的主要研究内容
6.2 下一步工作的展望
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果