封面
声明
中文摘要
英文摘要
目录
主要符号表
第一章 绪论
1.1 AlGaN/GaN HFET概述
1.2 AlGaN/GaN HFET发展现状
1.3 本论文的主要工作及创新
第二章 AlGaN/GaN HFET的极化模型
2.1 极化机理
2.2AlGaN/GaN HFET的极化模型
2.3 2DEG产生机理与解析模型
2.4 本章小结
第三章 单异质结HFET电荷控制模型与新结构
3.1 引言
3.2 单异质结电荷控制模型
3.3 复合阳极AlGaN/GaN器件
3.4 围栅极异质结晶体管
3.5 本章小结
第四章 双异质结HFET电荷控制模型与新结构
4.1 无掺杂势垒层双异质结电荷控制模型
4.2 掺杂型势垒层双异质结电荷控制模型
4.3 铁电型势垒层双异质结HFET
4.4 多异质结型GaN功率晶体管电荷控制模型
4.5 本章小结
第五章 增强型相关异质结器件
5.1 低导通功耗异质结器件
5.2 MIS-HFET短沟道效应研究
5.3NMOS控制AlGaN/GaN HFET混合集成器件
5.4 本章小结
第六章 结论与展望
6.1 结论
6.2 下一步工作
致谢
参考文献
附录
博士在学期间的研究成果
电子科技大学;