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樊鹏;
电子科技大学;
InGaAs; 光电探测器; 辐照; 位移损伤;
机译:CSNS中子诱导的位移损伤效应对顶部照明平面IngaAs P-I-N光电探测器的分析
机译:使用顺序制造工艺的INGAAS光电探测器INGAAS光电探测器的单片3D集成
机译:InGaAs探测器中的位移损伤效应:实验结果和半经验模型预测
机译:皮秒脉冲激光辐照InGaAs光电探测器的实验研究
机译:中子辐照导致碳化硅探测器位移损伤的建模。
机译:用于室温高性能近红外光电探测器的单晶InGaAs纳米线
机译:30 MEV电子辐照对InGaAsp LED和InGaAs光电二极管的影响。
机译:30 mev电子辐照对InGaasp LED(发光二极管)和InGaas光电二极管的影响
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:InGaAs / InP红外光电探测器聚焦平面阵列(ODD)的结构及其制备方法
机译:具有平面结构的基于Ingaas的原始光电探测器结构及其制造方法。
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