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沈炎俊;
东南大学;
光纤通信; 互补金属氧化物半导体; 分频器; 分接器; 锁存器;
机译:具有自适应均衡和带宽移位技术的7.5 Gb / s无参考收发器,适用于0.13- $ muhbox {m} $ tex- math> inline-formula> CMOS工艺
机译:通过0.13μmCMOS工艺开发具有非反馈环路后置均衡器的5Gb / s收发器
机译:采用变压器反馈的超低电压20 GHz分频器,采用0.18-μmCMOS工艺
机译:40nm CMOS中的20GB / S 4分接判定反馈器的设计
机译:在0.13微米CMOS工艺中设计2.4 GHz VCO的比较研究
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:50nm CMOS工艺中的N预分频器设计的功率优化除以
机译:项目Gasbuggy Hole Histories-Gb-E-Gb-E-R-Gb-1- Gb-2R-Gb-2Rs-Gb-D-Gb-10-36-Gb-2
机译:附接构件,用于附接房间分频器系统的两个面板和包括所述附接构件的房间分频器系统
机译:在UWB(超宽带)系统中生成脉冲的设备,该设备可通过一个或一个元素实现0.13um CMOS工艺
机译:上述赤铁矿通过照射具有降低铁氧化物成分的磁场的频率为20〜30GHz的方式的微波来加热上述铁氧化物成分的材料。
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