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施建根;
东南大学;
绝缘栅双极晶体管; 封装工艺; 可靠性分析; 焊料装片; 铝线键合; 汽车电子器件;
机译:采用芯片嵌入技术的IGBT功率器件封装的电气特性和可靠性能
机译:三菱电机继续在功率器件技术方面取得进步,IGBT封装技术提高了功率密度,降低了功率损耗,并在智能技术方面取得了进步。
机译:解释功率MOSFET和IGBT的损耗和高频降低,包括封装方面:功率半导体器件的技术趋势
机译:硅上集成的磁性器件,用于封装中的电源(PSiP)和片上电源(PwrSoC)
机译:使用石墨烯复合材料作为热界面材料的IGBT封装的计算分析。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:用作OLED灯泡器件的封装方法用作OLED器件的封装方法
机译:更新JpL主导的Csp / sIp活动(芯片级封装/系统级封装)
机译:用于高电密度器件,尤其是IGBT和二极管的低电感键合无线接头封装
机译:低电感键合无线共封装,用于高功率密度器件,尤其是IGBT和二极管
机译:用于高电气密度的器件,尤其是IGBT和二极管的低电感电感无线连接封装
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