紫外厚胶深光刻技术研究

摘要

微电子机械系统是21世纪科技与产业的热点之一，而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础。在MEMS领域中，微结构需要具有较大深宽比的，LIGA技术是制备微结构的重要微细加工技术，因此成为MEMS微细加工中十分重要的技术。但LIGA技术需要昂贵的同步辐射X射线源，因此限制了其广泛的应用。
　　 本文采用近紫外光作为曝光光源的UV-LIGA技术代替LIGA技术制备微结构。负性光刻胶SU-8具有良好的光敏性，胶结构图形的侧墙较陡直，能够实现较大的深宽比，为复杂结构的三维微机械器件的制作提供了保证。采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上，在不同衬底上制备了高深宽比MEMS微结构。研究了前烘、曝光、显影和后烘四个工艺参数对制备高深宽比微结构的影响；优化紫外厚胶深光刻工艺，制备出深宽比为2∶1的微结构。

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第一章 绪 论

1.1 LIGA技术简述

1.2 UV-LIGA技术介绍

1.3光刻工艺的种类

1.4本文研究的主要内容及研究意义

第二章 紫外厚胶深光刻工艺基础理论

2.1硅片清洗工艺机理

2.2光刻胶的组成及属性

2.3紫外厚胶深光刻技术工艺流程

第三章 紫外厚胶深光刻技术实验研究

3.1紫外厚胶深光刻实验设备介绍

3.2紫外厚胶深光刻实验设计

3.3制备SU-8胶微结构的工艺参数

第四章 紫外厚胶深光刻技术工艺实验结果分析及讨论

4.1前烘温度及时间对光刻的影响

4.2曝光时间对制备微结构的影响

4.3后烘温度及时间对制备微结构的影响

4.4显影时间对制备微结构的影响

4.5紫外厚胶深光刻实验结果分析

4.6紫外厚胶深光刻工艺参数的改善

结 论

致 谢

参考文献