InAsSb/InAlSb 异质结红外光敏薄膜结构与性能研究
THE INVESTIGATION OF THESTRUCTURES AND PERFORMANCESOF InAsSb/InAlSb HETERJUNCTIONINFRARED PHOTOCONDUCTIVE FILM
摘 要
Abstract
第1章 绪论
1.1 课题背景
1.2 红外探测器的种类
1.3 光子红外探测器常用材料结构和性质
1.3.1 HgCdTe
1.3.2 In(As)Sb
1.3.3 GaAs 基材料
1.4 外延薄膜的制备
1.4.1 异质外延薄膜的生长
1.4.2 InAsSb 外延层生长技术
1.5 本文主要研究内容
第2章 材料与实验方法
2.1 材料的选择
2.1.1 衬底材料GaAs
2.1.2 功能层材料InAsSb
2.2 实验方法
2.2.1 MBE-InAsSb 薄膜的制备方法
2.2.2 分析测试方法
第3章 NBN 异质结结构的设计与制备
3.1 InAsSb/InAlSb 异质结结构设计
3.1.1 引言
3.1.2 NBN 结构的设计
3.2 InAsSb/InAlSb 薄膜的制备
3.3 本章小结
第4章 InAsSb/InAlSb 异质外延薄膜的微观组织结构研究
4.1 InAsSb 薄膜表面形貌观察
4.2 InAsSb 薄膜结构分析
4.2.1 InAsSb 薄膜晶体质量分析
4.2.2 InAsSb 薄膜的微观结构研究
4.2.3 InAsSb/InAlSb 薄膜的断面分析
4.3 InAsSb/InAlSb 薄膜成份分布分析
4.4 本章小结
第5章 InAsSb/InAlSb 异质结薄膜的光学与电学性能研究
5.1 InAsSb/InAlSb 异质结薄膜光学性能
5.1.1 引言
5.1.2 InAsSb/InAlSb 异质结的红外光谱分析
5.2 InAsSb/InAlSb 异质薄膜电学性能研究
5.3 本章小结
结论
参考文献
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致谢
哈尔滨工业大学;