机译:InAlSb / InAs和InAlSb / InAsSb HFET的器件特性
Department of Electrical Engineering, National Central University, Chungli 32001, Taiwan|c|;
机译:GaAs和基于InAlSb / InAs的FET中质子诱导的瞬态电荷收集
机译:InAlSb / InAs / AlGaSb高电子迁移率晶体管的单事件瞬态灵敏度
机译:高电子迁移率晶体管的Inalsb / inas异质结构的Pd / pt / au欧姆接触的热稳定性
机译:InAlSb / InAs / AlGaSb高电子迁移率晶体管对栅极偏置的单事件瞬态灵敏度
机译:InAs / GaSb和基于InAs / InAsSb II型超晶格的红外器件的暗电流抑制,光学性能改进和高频操作
机译:用于长波红外探测器的InAs / InAsSb应变平衡超晶格
机译:使用InAlSb / InAsSb / InAlSb异质结构制造的高灵敏度和多功能微霍尔传感器
机译:用于高电子迁移率晶体管的Inalsb / Inas / alGasb量子阱异质结构。