超深亚微米器件的二维杂质浓度分布的提取

摘要

目前，随着超大规模集成电路的发展，半导体器件的特征尺寸已进入超深亚微米的阶段，器件也出现了很多新的物理效应。以往提取杂质浓度的方法已经不再适应。本文是用了基于CV数据的反向模型法来提取超深亚微米MOS器件的二维杂质浓度分布的。　　在本文中首先给出了超深亚微米MOS器件的电容模型，然后分析了测量杂质浓度的很多破坏性和非破坏性的方法。讨论反向模型法的基本原理及具体的流程。在本文的最后，用基于CV数据的反向模型法来提取0.1μm的n沟道Si-MOSFET的二维杂质浓度的分布。　　在文中将MOSFET看作是栅控二极管，其电容是栅电压和源/漏电压的函数。在一定的栅电压和源/漏电压下，通过比较这个栅控二极管的小信号电容的测量值与模拟值来反求杂质浓度。模拟初始，将在理论分布下所求的得电容值看作电容的测量值由。最后通过比较所求得的杂质浓度分布和理论杂质浓度分布，该方法是一种可行的方法。

目录

文摘

英文文摘

第一章绪论

1.1超深亚微米MOS器件所面临的问题

1.2国内外研究现状

1.3主要工作

第二章超深亚微米MOS器件的电容模型

2.1 MOS电容

2.1.1 MOS结构

2.1.2 MOS结构的电容模型

2.1.3 MOS结构的C-V曲线

2.2 MOSFET电容

2.3超深亚微米MOSFET电容模型

第三章半导体器件的杂质分布的提取

3.1电容-电压法

3.1.1均匀掺杂浓度

3.1.2非均匀掺杂

3.1.3用MOSFET确定杂质分布

3.2直流方法

第四章超深亚微米器件的二维杂质浓度的提取

4.2用反向模型法提取杂质浓度的具体方案

4.3反向模型方法中解线性方程组

4.3.1正向求解泊松方程

4.3.2计算矩阵元素

4.3.3解最小线性平方系统

4.4超深亚微米MOSFET的二维杂志浓度分布的提取

4.4.1蒙特卡罗-漂移扩散耦合方法

4.4.2杂质浓度的反求

4.5模拟得到的数据

4.6结论及后期工作

致谢

参考文献

附录

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