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刘肇卿;
西安电子科技大学;
超深亚微米器件; 单粒子翻转; 在轨预计; 物理机理; 截面计算;
机译:使用带沟槽的nMOSFET在低功率应用中分析超深亚微米CMOS器件中的I_(ON)/ I_(OFF)
机译:与平面nMOSFET相比,使用带槽nMOSFET的超深亚微米CMOS器件增强了/ on / I_(off)
机译:超深亚微米CMOS器件的紧凑建模
机译:超深亚微米硅CMOS器件中的低频噪声分析和建模
机译:超深亚微米(VDSM)SoC的功耗感知型内存系统设计。
机译:Al2O3 / GaN MOS器件深耗尽区中通过电导方法研究体陷阱
机译:采用浅沟槽隔离的深亚微米VLsI CmOs器件的闭合背栅偏置相关反向窄通道效应模型
机译:亚微米CmOs器件在区域熔化 - 重结晶sOI(绝缘体上硅)薄膜中
机译:用形成亚微米接触的方法制造亚微米NMOS,PMOS和CMOS器件的方法
机译:超深亚微米工艺中的输入缓冲器
机译:超深亚微米工艺中的输入缓冲
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