IBM Systems and Technology Group, Hopewell Junction, NY, USA;
机译:使用32 nm高K /金属门SOI嵌入式DRAM的场耐受动态本征芯片ID
机译:基于High-K Metal Gate Technology的嵌入式DRAM中栅极泄漏的建模与表征
机译:低功耗DRAM兼容替换门High-k / Metal Gate堆栈
机译:使用32nm高k /金属门SOI嵌入式DRAM的动态内在芯片ID
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:金属栅极高k电介质对SOI TRI-GATE FinFET晶体管电学特性的影响