首页> 外文会议>VLSI Circuits (VLSIC), 2012 Symposium on >Dynamic intrinsic chip ID using 32nm high-K/metal gate SOI embedded DRAM
【24h】

Dynamic intrinsic chip ID using 32nm high-K/metal gate SOI embedded DRAM

机译:使用32nm高K /金属门SOI嵌入式DRAM的动态本征芯片ID

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

A random intrinsic chip ID method generates a pair of 4Kb binary strings using retention fails in 32nm SOI embedded DRAM. Hardware results show ID overlap distance mean=0.58 and σ=0.76 and demonstrate 100% authentication for 346 chips. The analytical model predicts > 99.999% unique IDs for 106 parts.
机译:随机固有芯片ID方法使用32nm SOI嵌入式DRAM中的保留失败生成一对4Kb二进制字符串。硬件结果显示ID重叠距离平均值= 0.58和σ= 0.76,并证明了346个芯片的100%认证。该分析模型可预测10 6 个部件的> 99.999%唯一ID。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号