嵌入式DRAM的使用间隔物材料的隔离间隙填充工艺

摘要

本文公开的实施例包括晶体管和形成这种晶体管的方法。在实施例中，晶体管可以包括：半导体沟道，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。在实施例中，源电极可以接触半导体沟道的第一表面，漏电极可以接触半导体沟道的第一表面。在实施例中，栅极电介质可以在半导体沟道的第二表面上方，栅电极可以通过栅极电介质与半导体沟道隔开。在实施例中，隔离沟槽可以与半导体沟道相邻。在实施例中，隔离沟槽包括隔离填充材料以及衬在隔离沟槽的表面的间隔物。