机译:首次填充双镶嵌光刻工艺中用于平坦化基板的间隙填充材料的表征
Electronic Materials Research Laboratories, Nissan Chemical Industries, Ltd., Toyama 939-2792, Japan;
lithography; thermal cross-link materials; gap fill materials; planarization; voids-free coating; dual damascene;
机译:显影剂可溶的间隙填充材料的开发,用于先通过双镶嵌工艺进行平面化
机译:首次过孔金属镶嵌工艺中金属沟槽图案化的间隙填充材料的抗中毒研究
机译:通过第一个双镶嵌工艺在32-45nm的金属沟槽中进行图案化的紫外线交联间隙填充材料和平面化应用
机译:显影剂可溶的Gap填充材料,用于在Via-first Dual Damascene工艺中对金属沟槽进行构图
机译:电迁移增强了无铅焊点中铜-锡金属间化合物的动力学,并使用分步和闪光压印光刻技术进行了铜低k双大马士革工艺。
机译:含愈合胶的微胶囊胶凝材料的自愈合效率:通过吸水监测机械修复和愈合过程
机译:水基单晶硅Cu / Low-k清洗工艺表征与双镶嵌工艺流程的集成
机译:用于制造具有微/纳米间隙的半导体结构的镶嵌工艺。