Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road Singapore Science Park-II, Singapore 117685;
机译:技术缩放对毫米波CMOS LC-VCO的调谐范围和相位噪声的影响
机译:轻掺杂基板上LC-VCO和数字调制解调器的基板噪声产生,隔离和影响建模
机译:沟道厚度和间隔长度对ULSI应用中p-Ge / n-Si混合CMOSFET逻辑性能的影响
机译:针对高电阻率SOI基板而优化的低功耗5 GHz CMOS LC-VCO
机译:有源和无源LC-VCO的CMOS实现
机译:分形的水凝胶基底的摩擦动力学表面:厚度的影响
机译:CrtSmile:CMOS RF晶体管基板建模的CAD工具,结合了布局效果
机译:室温薄膜Ba(x)sr(1-x)TiO3 Ku波段耦合微带相移器:膜厚度,掺杂,退火和基板选择的影响