法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-12-09
授权
授权
2013-09-04
实质审查的生效 IPC(主分类):G01B7/06 申请日:20130509
实质审查的生效
2013-08-07
公开
公开
机译: 用湿蚀刻装置和监测装置进行定向前减薄,以及用于监测半导体晶片厚度的晶片厚度的原位测量方法
机译: 抛光体,抛光剂,抛光剂的调节方法,抛光膜厚度或抛光终点的测量方法,半导体装置的生产方法
机译: 抛光体,抛光剂,抛光剂的调节方法,抛光膜厚度或抛光终点的测量方法,半导体装置的生产方法