Joule Physics Laboratory, School of Sciences, University of Salford, Salford, M5 4WT, UK;
机译:使用中能离子散射通过超浅As注入和尖峰退火产生的掺杂剂分布特征
机译:硅中低温BSi分子离子注入的快速热退火后的硼深度分布和残余损伤
机译:使用中能离子散射在有尖峰退火和无尖峰退火的情况下将超浅砷注入到硅中的掺杂分布
机译:通过介质能量离子散射特征的不同温度下,超浅硼和砷离子植入物中产生的损伤和掺杂剂分布在硅的不同温度下
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:室温下非接触式无损确定硅晶圆中局部硼扩散区的掺杂剂分布
机译:中能离子散射法研究硅中低能离子注入的损伤形成和退火研究
机译:低能硼和砷注入硅的分子动力学模拟