用于改进硅离子注入期间的离子束电流和性能的含硅掺杂剂组合物、使用该组合物的系统和方法

摘要

提供用于在硅离子注入期间改进束电流的掺杂剂气体组合物、使用该组合物系统和方法。硅离子注入工艺涉及利用第一基于硅的辅助物质和第二物质。选择第二物质，以在产生并注入活性硅离子物质期间在所利用的离子源的操作电弧电压下具有比第一基于硅的物质更高的电离截面。活性硅离子产生改进的束电流，其特征在于与单独从SiF4产生的束电流相比，保持或增加束电流水平而不引起离子源降级。