Silicon; Implantation; {311} Defects; TEM;
机译:热退火后离子注入硅中外在缺陷扩展的建模
机译:注入硅中扩展缺陷的热演化:对掺杂扩散的影响
机译:费米能级对注入In0.53Ga0.47As的Si +和P +中缺陷扩展的影响
机译:薄样本对Si +植入Si的延长缺陷演化的影响
机译:离子注入硅中扩展的缺陷和氢相互作用。
机译:皮质骨缺损部位单向多孔羟基磷灰石骨替代物中的骨再生和重塑:植入后一年和两年的组织学分析
机译:在离子注入后热处理过程中蓝宝石上硅薄膜中低缺陷密度结构的演变