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机译:费米能级对注入In0.53Ga0.47As的Si +和P +中缺陷扩展的影响
机译:费米能级对注入In0.53Ga0.47As的Si +和P +中缺陷扩展的影响
机译:注入硅中扩展缺陷的热演化:对掺杂扩散的影响
机译:原位透射电镜在多晶金辐照的UO2中扩展缺陷的演变:温度和注量效应
机译:注入氮对硼扩散和扩展缺陷演变的影响
机译:离子注入硅中扩展的缺陷和氢相互作用。
机译:胶体n型ZnO纳米晶体的氧化还原电势:醛加氢作用的限制电子密度和费米能级钉扎效应
机译:si +注入然后等离子体氢化和H +注入晶体硅中结构缺陷形成的对比分析