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测量薄的Si/SiGe双层中的晶体缺陷的方法

摘要

此处公开用于刻画SiGe合金层上的薄Si层中的晶体缺陷的方法。该方法使用对Si具有高度缺陷选择性的缺陷腐蚀剂。将Si腐蚀至缺陷坑能达到下层SiGe层的厚度。然后使用与缺陷腐蚀剂相同或不同的第二腐蚀剂,腐蚀坑下的SiGe层而保持Si完整。

著录项

  • 公开/公告号CN1258214C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200410068370.5

  • 申请日2004-08-31

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L21/302(20060101);G01N21/88(20060101);

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人王永刚

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20060531 终止日期:20180831 申请日:20040831

    专利权的终止

  • 2017-12-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/66 登记生效日:20171204 变更前: 变更后: 申请日:20040831

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/66 登记生效日:20171204 变更前: 变更后: 申请日:20040831

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20171204 变更前: 变更后: 申请日:20040831

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/66 登记生效日:20171204 变更前: 变更后: 申请日:20040831

    专利申请权、专利权的转移

  • 2006-05-31

    授权

    授权

  • 2006-05-31

    授权

    授权

  • 2006-05-31

    授权

    授权

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-06-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-30

    公开

    公开

  • 2005-03-30

    公开

    公开

  • 2005-03-30

    公开

    公开

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