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Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.
Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.
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1.
The application of GaAs tcad industry
机译:
GaAs Tcad产业的应用
作者:
P. A. Blakey
;
K. Johnson
;
C. Recker
;
S. Varadarajan
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
2.
The roles of '3d/2d' and '3d/3d' topography simulators in virtual wafer fabs
机译:
虚拟晶圆厂中“ 3d / 2d”和“ 3d / 3d”形貌模拟器的作用
作者:
T. S. Cale
;
T. P. Merchant
;
L. J. Borucki
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
3.
The effect of a thin sample on the extended defect evolution in Si~+ implanted Si
机译:
薄样品对Si〜+注入Si中扩展缺陷扩展的影响
作者:
Jing-Hong Li
;
Kevin S. Jones
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
关键词:
Silicon;
Implantation;
{311} Defects;
TEM;
4.
Towards the optimization of amt barrel reactors for silicon epitaxy
机译:
朝着用于硅外延的amt桶式反应器的优化
作者:
M. Masi
;
G. Radaelli
;
N. Roda
;
P. Raimondi
;
S. Carra
;
G. Vaccari
;
D. Crippa
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
5.
Theoretical modeling and improved thermoelectric properties in (111) and (001) oriented PbTe/Pb_(1-x)Eu_xTe MQWs
机译:
(111)和(001)取向PbTe / Pb_(1-x)Eu_xTe MQWs的理论建模和改进的热电性能
作者:
T. Koga
;
S. B. Cronin
;
T. C. Harman
;
X. Sun
;
M. S. Dresselhaus
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
6.
Simulation of under- and supersaturation of gallium vacancies in gallium arsenide during silicon in- and outdiffusion
机译:
硅注入和扩散过程中砷化镓中镓空位的过饱和度和过饱和度的模拟
作者:
C.-H. Chen
;
U. Gosele
;
T. Y. Tan
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
7.
Simulation study of ibe process for III-V compounds in mesa and trenches
机译:
台面和沟槽中III-V化合物的ibe过程的模拟研究
作者:
L. Houlet
;
A. Rhallabi
;
G. Turban
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
8.
Physical model and numerical results of dissociation kinetics of hydrogen-passivated Si/SiO_2 interface defects
机译:
氢钝化Si / SiO_2界面缺陷的解离动力学的物理模型和数值结果
作者:
G.V. Gadiyak
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
9.
Optimal design of stagnation-flow movpe reactors with axisymmetric multi-aperture inlets
机译:
具有轴对称多孔径进口的滞流移动反应器的优化设计
作者:
V. Gupta
;
C. Theodoropoulos
;
J.D. Peck
;
T.J. Mountziaris
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
10.
A new practical approach to implement a transient enhanced diffusion model into fem-based 2-D process simulator
机译:
一种新的实用方法,可将瞬态增强扩散模型实施到基于fem的二维过程仿真器中
作者:
Noriyuki Sugiyasu
;
Kaina Suzuki
;
Syuichi Kojima
;
Yasushi Ohyama
;
Hiroshi Goto
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
11.
A three-dimensional monte carlo model for phosphorus implants into (100) single-crystal silicon
机译:
磷注入(100)单晶硅中的三维蒙特卡洛模型
作者:
Myung-Sik Son
;
Ho-Jung Hwang
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
12.
Modeling of atom diffusion and segregation in semiconductor heterostructures
机译:
半导体异质结构中原子扩散和偏析的建模
作者:
Hartmut Bracht
;
Wladek Walukiewicz
;
Eugene E. Haller
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
13.
Modeling of the surface annihilation of excess self-interstitials generated by gold diffusion into silicon
机译:
金扩散到硅中产生的多余自填隙的表面an灭模型
作者:
N.A. Stolwijk
;
W. Lerch
;
A. Giese
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
14.
Light-controlled switching transients in mis silicon structures with multichannel insulator: physical processes and new device modelling
机译:
具有多通道绝缘体的硅层结构中的光控开关瞬态:物理过程和新器件建模
作者:
A. Malik
;
R. Martins
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
15.
Fermi-level effect on group III atom interdiffusion in III-V compounds: bandgap heterogeneity and low silicon-doping
机译:
费米能级对III-V化合物中III组原子互扩散的影响:带隙异质性和低硅掺杂
作者:
C.-H. Chen
;
U. Gosele
;
T. Y. Tan
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
16.
Effects of Compositional Segregation and Short Channel on Threshold Voltage of nMOSFET
机译:
成分隔离和短沟道对nMOSFET阈值电压的影响
作者:
Julie Y.H. Lee
;
Tom C. H. Lee
;
Mike Embry
;
Keenan Evans
;
Dan Koch
;
Robert Tucker
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
17.
Chemical kinetics models for semiconductor processing
机译:
半导体加工的化学动力学模型
作者:
Michael E. Coltrin
;
Ellen Meeks
;
Joseph F. Grcar
;
William G. Houf
;
Robert J. Kee
;
J. Randall Creighton
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
18.
Charge transfer modeling for charge-coupled devices
机译:
电荷耦合器件的电荷转移建模
作者:
James P. Lavine
;
Eric G. Stevens
;
Edmund K. Banghart
;
Eugene A. Trabka
;
Bruce C. Burkey
;
David J. Schneider
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
19.
Atomic Force Microscope Study of Two-Dimensional Dopant Delineation by Selective Chemical Etching
机译:
选择性化学刻蚀在二维掺杂物描绘中的原子力显微镜研究
作者:
Kwang-Ki Choi
;
Tae-Yeon Seong
;
Seonghoon Lee
;
Hyunsang Hwang
;
Yong Sun Sohn
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
20.
Demonstration of improved quantitative mobility spectrum analysis (i-QMSA)
机译:
演示改进的定量迁移谱分析(i-QMSA)
作者:
I. Vurgaftman
;
J. R. Meyer
;
C. A. Hoffman
;
D. Redfern
;
J. Antoszewski
;
L. Faraone
;
J. R. Lindemuth
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
21.
Use of rigorous three-dimensional electromagnetic simulation to evaluate the effectiveness of optical proximity correction for nonplanar lithography
机译:
使用严格的三维电磁仿真来评估非平面光刻的光学邻近校正的有效性
作者:
M. S. Yeung
;
E. Barouch
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
22.
Robust reaction-transport models of movpe reactors
机译:
移动反应器的鲁棒反应运输模型
作者:
C. Theodoropoulos
;
H.K. Moffat
;
T.J. Mountziaris
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
23.
A theoretical study on the fundamental chemical reactions in titanium plasma-enhanced cvd
机译:
钛等离子体增强CVD中基本化学反应的理论研究
作者:
K. Tsuda
;
K. Watanabe
;
Y. Ohshita
;
T. Takada
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
24.
Nucleation and growth of voids in silicon
机译:
硅中空洞的形核和生长
作者:
P. S. Plekhanov
;
U. M. Gosele
;
T. Y. Tan
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
25.
Modelling analysis of oxygen transport during czochralski growth of silicon crystals
机译:
硅藻土生长过程中氧迁移的模型分析
作者:
Yu. E. Egorov
;
Yu. N. Makarov
;
E. A. Rudinsky
;
E. M. Smirnov
;
A. I. Zhmakin
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
26.
Modeling of grain structure evolution and its impact on the reliability of Al(Cu) thin film interconnects
机译:
晶粒结构演变的建模及其对Al(Cu)薄膜互连件可靠性的影响
作者:
S.P. Riege
;
V. Andleigh
;
C.V. Thompson
;
H.J. Frost
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
27.
Modeling and 2D numerical simulation of transient phenomena in floating body soi mosfets
机译:
浮体MOSFET瞬态现象的建模和二维数值模拟
作者:
A.M. Ionescu
;
F. Chaudier
;
A. Chovet
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
28.
3D Atomistic Simulations of Submicron Device Fabrication
机译:
亚微米器件制造的3D原子模拟
作者:
Marius M. Bunea
;
Scott T. Dunham
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
29.
Computer simulation of thermomigration process
机译:
热迁移过程的计算机模拟
作者:
V. Yu. Gershanov
;
S.I. Garmashov
;
A.R. Minyaev
;
A.V. Beletskaya
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
30.
Influence of rtp on vacancy concentrations
机译:
rtp对空缺浓度的影响
作者:
M. Jacob
;
P. Pichler
;
M. Wohs
;
H. Ryssel
;
R. Falster
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
31.
Gold diffusion in silicon during gettering by an aluminum layer
机译:
铝层在吸气期间金在硅中的扩散
作者:
Subhash M. Joshi
;
Ulrich M. Gosele
;
Teh Y. Tan
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
32.
First-principles study of point-defect production in Si and SiC
机译:
Si和SiC点缺陷产生的第一性原理研究
作者:
W. Windl
;
T. J. Lenosky
;
J. D. Kress
;
A. F. Voter
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
33.
Finite Element Analysis of a MOCVD Reactor Having a Close-Spaced Injector
机译:
具有近距离喷射器的MOCVD反应器的有限元分析
作者:
Yang Ren Sun
;
David W. Weyburne
;
Qing S. Paduano
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
34.
Defect reactions induced by reactive ion etching
机译:
反应性离子蚀刻引起的缺陷反应
作者:
Song Zhao
;
Lionel C. Kimerling
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
35.
Computationally efficient model for 2D ion implantation simulation
机译:
二维离子注入仿真的计算有效模型
作者:
Misha Temkin
;
Ivan Chakarov
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
36.
Atomistic modeling of the ion implantation step within a 2D process simulator
机译:
二维过程模拟器中离子注入步骤的原子建模
作者:
Bruno Schmidt
;
Matthias Posselt
;
Norbert Strecker
;
Thomas Feudel
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
37.
Atomic dynamics during silicon oxidation and the nature of defects at the Si-SiO_2 interface
机译:
硅氧化过程中的原子动力学和Si-SiO_2界面缺陷的性质
作者:
S. T. Pantelides
;
M. Ramamoorthy
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
38.
Arsenic deactivation in silicon
机译:
硅中的砷失活
作者:
M.A. Berding
;
A. Sher
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
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1997年
39.
An atomic-scale derived continuous approach for the anisotropic etching
机译:
原子尺度的各向异性刻蚀连续方法
作者:
N.Moldovan
;
S. Nedelcu
;
H. Camon
会议名称:
《Symposium on Semiconductor Process and Device Performance Modelling held December 2-3, 1997, Boston, Massachusetts, U.S.A.》
|
1997年
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