Advanced Products Research and Development Laboratory, Freescale Semiconductor, Tempe, AZ 85284, U.S.A.;
机译:SiO_2双层基质中硅纳米晶成核的原位高分辨率透射电镜观察
机译:脉冲离子束诱导SiO_2上Ge纳米晶体的形核和生长
机译:非晶SiO_2基体中硅纳米晶的成核与生长
机译:CVD硅纳米晶核核切割和SiO_2的生长模型
机译:模拟成核,生长和应力:嵌入在二氧化硅中的锗纳米晶体
机译:非晶态铋到纳米晶相变的粒子介导成核和生长的原位原子尺度研究
机译:硅烷硅CVD颗粒形成的核肉形成和气溶胶动力学
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月