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尹衍升; 刘英才; 李静;
中国海洋大学材料学院;
LICVD法; 纳米硅; 激光诱导化学气相沉积法; 激光能量阈值; 气体流量; 亚晶界; 气相成核率; 晶粒;
机译:亚共晶退火和生长过程中硅(111)上垂直Ge纳米线成核的机理
机译:CVD制备纳米粒子的过程中的成核和生长
机译:化学气相沉积过程中原位拉曼光谱法研究单壁碳纳米管成核,生长和终止的动力学
机译:分子模板水热合成过程中硅沸石-1纳米晶体的成核和生长机制
机译:硅纳米线中纳米级金属硅化物的成核和生长。
机译:非均相成核法原位制备Ag /聚苯胺/ Fe3O4单分散纳米颗粒
机译:化学气相沉积过程中拉曼光谱法研究单壁碳纳米管成核,生长和终止的动力学
机译:用原子层沉积法制备具有超薄纳米层的纳米层:成核和生长问题
机译:伏安-韦伯法在硅基板(111)上通过大面积纳米印迹法生长砷化镓纳米线,可根据设备的特性控制带隙能量
机译:单晶硅和热化学气相沉积法生长碳化硅纳米和纳米的方法
机译:从涂有钛和钴的薄双层薄膜的硅基底上通过化学气相沉积法生长碳纳米管包括在预先涂有双层膜的硅基底上使用热丝
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