Department of Materials Science and Engineering, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106-7204, U.S.A.;
机译:(000-1)C面上4H-SiC pin二极管和高压4H-SiC pin二极管的正向电压降级,正向降级减小
机译:正向偏置铁磁肖特基二极管中的自旋注入和去极化机理
机译:抑制4H-SiC PiN二极管由于衬底基面位错引起的正向偏置退化的数值研究
机译:正向偏置下4H-SiC引脚二极管降解的微观结构方面和机制
机译:氮化铝镓基多量子阱深紫外发光二极管的降解机理。
机译:量子点发光二极管的退化机理
机译:电感耦合等离子体刻蚀的n型4H-SiC上肖特基二极管的降解机理
机译:4H-siC piN二极管正向电压漂移动力学