机译:抑制4H-SiC PiN二极管由于衬底基面位错引起的正向偏置退化的数值研究
Kyushu Inst Technol Wakamatsu Ku 2-4 Hibikino Kitakyushu Fukuoka 8080196 Japan|Toyo Tanso Co Ltd 2181-2 Nakahime Ohnohara Cho Kanonji Kagawa 7691612 Japan;
Kyushu Inst Technol Wakamatsu Ku 2-4 Hibikino Kitakyushu Fukuoka 8080196 Japan;
4H-SiC; PiN diode; Forward bias degradation; Carrier lifetime; BPD-TED conversion position;
机译:4H-SiC衬底中基面位错密度对体二极管正向电压退化的影响
机译:基面位错结构对4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中单个肖克利型堆叠故障扩展的影响
机译:通过将正向电流施加到4H-SiC p-i-n二极管上,基面位错深度与扩展堆垛层错之间的关系
机译:载流子寿命在4H-SiC PiN二极管正向偏置降解中的作用
机译:用于稳定双极二极管的4H-碳化硅的低基面位错密度外延层的生长。
机译:4H-SiC 100 mm PVT生长过程中基面位错密度和热机械应力分析
机译:基底平面位错密度和热机械应力在100 mm PVT生长期间的4H-SIC期间