Device Technologies Center, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-1-3, Shimaya, Konohana-ku, Osaka, 554-0024, Japan;
机译:具有优化JFET和P-BANY设计的4H-SIC MOSFET的设计与制造
机译:4H-SiC JFET晶片的电气特性:极端温度IC设计的直流参数变化
机译:中子辐照对高压
机译:600V 4H-SiC Resurf-型JFET的制造和初始表征
机译:高压(> 10 kV)4H-SiC MPS二极管的设计,制造和表征
机译:含氧ALN / 4H-SIC异质结二极管的制备和表征
机译:基于4H-SiC的结型场效应晶体管(JFET)的结构和电气特性
机译:千小时500℃耐久4H-siC JFET集成电路的制作与表征。