Fabrication; Integrated circuits; Durability; Jfet; Dielectrics; Digital electronics; Analog circuits; Combustion; Drilling; Failure analysis; Degradation; Cracking (fracturing); Oxidation;
机译:两层金属互连的4H-SiC JFET集成电路的加工和500℃延长测试
机译:在500℃至700℃的温度下实验观察到的4H-SiC JFET IC的电耐久性
机译:大型4H-SiC JFET集成电路的为期一年的500℃操作演示
机译:千小时500°C耐用的4H-SIC JFET集成电路的加工和表征
机译:基于4H碳化硅JFET的功率集成电路的开发。
机译:小鼠45S核糖体RNA亚种的特征表明第一次加工切割发生在13.9 kb前体的5末端600 +/- 100个核苷酸第二个500 +/- 100核苷酸3端。
机译:在-150°C至+ 500°C的宽温度范围内表征6H-siC JFET集成电路
机译:千小时500℃耐久4H-siC JFET集成电路的制作与表征。