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机译:在500℃至700℃的温度下实验观察到的4H-SiC JFET IC的电耐久性
NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
OAI, NASA Glenn, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
Vantage Partners LLC, NASA Glenn, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
Vantage Partners LLC, NASA Glenn, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Rd. MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
JFET; Integrated Circuit; High Temperature; Amplifier; Digital Logic; Failure Analysis;
机译:25℃至500℃4H-SiC JFET阈值电压体偏置效应的实验和理论研究
机译:具有两级互连的4H-SiC JFET IC的延长的500°C演示
机译:大型4H-SiC JFET集成电路的为期一年的500℃操作演示
机译:实验观察到的在500°C至700°C下工作的4H-SiC JFET IC的电气耐久性
机译:PLC控制系统:操作原理,硬件配置和闭环反馈控制系统设计,具有Allen-Bradley SLC 500模块化控制器技术培训工作站和Rockwell Automation RSLogix 500项目开发软件。
机译:具有4H-SIC肖特基二极管的60-700 k CTAT和PTAT温度传感器
机译:基于4H-SiC的结型场效应晶体管(JFET)的结构和电气特性
机译:实验观察4H-siC JFET IC的电气耐久性,工作温度范围为500°C至700°C。