...
机译:25℃至500℃4H-SiC JFET阈值电压体偏置效应的实验和理论研究
NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Road, MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
NASA Glenn Research Center, 21000 Brookpark Road, MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
OAI, 21000 Brookpark Road, MS 77-1, Cleveland, OH 44135 USA;
JFET; Integrated Circuit; Body Effect; Threshold Voltage; High Temperature;
机译:在500℃至700℃的温度下实验观察到的4H-SiC JFET IC的电耐久性
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:通过快速在线接通方法精确确定在4H-SiC MOSFET中的负栅极偏置应力期间的阈值电压偏移
机译:低压偏置电压控制振荡器的理论和实验研究
机译:通过外推型腔室的电离测量,对高压辐射的能量吸收进行实验和理论研究。
机译:高压挖沟和植入4H-SIC垂直JFET的进展
机译:4H-siC JFET阈值电压体偏置效应的实验和理论研究从25℃到500℃。