Device Research Laboratory, Electrical Engineering Department University of California at Los Angeles, Los Angeles, CA 90095-1594, U.S.A.;
机译:由于图案化的Si(001)衬底上的GeSi量子点的侧向排序而增强了光致发光
机译:通过导电原子力显微镜研究在Si(001)上生长的单个GeSi量子点中的瞬态空穴陷阱
机译:用于长波长发射的量子点的应变工程:在GaAs(001)上以超过1.55μm的波长生长的自组装InAs量子点的光致发光
机译:从单一INAS / INP(001)由MOVPE生长的单一INAS / INP(001)量子点大约1.5μ m左右。
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:在有图案的Si(001)衬底上生长的有序GeSi纳米环
机译:在凹坑图案的si(001)衬底上生长的Gesi纳米岛的电子结构