Kyma Technologies, Inc. Raleigh, NC 27617 U.S.A.;
机译:Na通量法制备的在相邻m面独立式GaN衬底上生长AlGaN / GaN异质结构
机译:通过HVPE方法在NGO衬底上外延生长GaN-开发用于制造激光二极管的GaN衬底
机译:通过HVPE方法在NGO衬底上外延生长GaN-开发用于制造激光二极管的GaN衬底
机译:通过横轧法的生长和制造2英寸独立的GaN基材
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:基于外延生长立式GaN的金字塔结构基板的制造
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻