机译:准晶应变InGaAsN多量子阱中晶格弛豫和缺陷形成过程的光致发光显微镜研究
机译:硅基锗虚拟衬底上生长的拉伸应变Ge / Si_(0.13)Ge_(0.87)量子阱的室温光致发光
机译:改善取向错误的衬底上生长的高应变1.32μmGaassb / gaas多个量子阱的光致发光
机译:从硅中生长的伪质基紧张Si / Si1-XGex多量子孔的光致发光
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:几层,假形象和菌株 - 不平衡GE / GESI多量子阱中间带转换的光致发光研究
机译:si(001)衬底上生长的假晶si1-xGex合金的空穴传输理论。