Microelectronics and VLSI Group Indian Institute of Technology Roorkee India;
TFETs; Logic gates; Doping; Delays; Performance evaluation; Bandwidth; Junctions;
机译:设计碳化硅器件以最小化外延参数变化的影响
机译:分析两种脊髓损伤装置的等效参数:纽约大学撞击器与无限地平线撞击器
机译:芯片内器件参数变化对路径延迟和低压数字电路成品率设计的影响
机译:设备设计参数对V_(DSAT)和TFET的模拟性能的影响
机译:随机离散电荷的从头算散射及其对纳米CMOS器件内在参数波动的影响
机译:最大限度地增加从屏障屏幕收集的蚊子:物理设计和操作参数的影响
机译:等离子体诱导的损伤建模及其对高级电子设备中参数变化的影响