Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate RD Center, Toshiba Corporation, 8 Shinsugita-cho, Isogo-ku, Yokohama 235-8522, Japan;
机译:程序/擦除循环频率对纳米级电荷陷阱非易失性存储器数据保留的影响研究
机译:编程/擦除循环应力期间空穴注入引起的金属-氧化物-氮化物-硅存储器中的界面状态
机译:一种新颖的MONOS非易失性存储设备,可确保10 / sup 7 /擦除/写入周期后的10年数据保留
机译:程序/擦除应力诱导孔电流对Monos存储器数据保留劣化的影响
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
机译:编程/擦除操作对基于氧化物的电阻式开关存储器性能的影响
机译:由于随机编程电荷引起的电流路径渗透效应,在多时间程序mLC sONOs存储器中的Vt保持分布尾部
机译:电子束可编程128K位晶圆级EpROm(可擦除可编程只读存储器)。