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机译:一种新颖的MONOS非易失性存储设备,可确保10 / sup 7 /擦除/写入周期后的10年数据保留
机译:程序/擦除循环频率对纳米级电荷陷阱非易失性存储器数据保留的影响研究
机译:一种新型的SONOS非易失性闪存器件,使用衬底热空穴注入进行写操作和栅极隧穿以进行擦除
机译:一种新型的SONOS非易失性闪存器件,使用衬底热空穴注入进行写操作和栅极隧穿以进行擦除
机译:在EEPROM中超过10 / sup 4 /写和擦除周期后,扩展了数据保留特性
机译:用于低压非易失性半导体存储器(NVSM)的MONOS / SONOS缩放设备的物理,技术和电气方面。
机译:受控双极性电荷陷阱机制的非易失性多级数据存储存储设备
机译:内存设备:通过van der Waals异质结构(ADV。Mater。11/2019)对称超快写入和耗尽速度。
机译:用于双光子3-D光存储器件的新型读/写/擦除材料