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【24h】

Physics, technology and electrical aspects of scaled MONOS/SONOS devices for low voltage nonvolatile semiconductor memories (NVSMs).

机译：用于低压非易失性半导体存储器（NVSM）的MONOS / SONOS缩放设备的物理，技术和电气方面。

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Scaled SONOS/MONOS (polysilicon-oxide-nitride-semiconductor)/ (metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) nonvolatile memory devices for low voltage (5-10 V) E

机译：用于低电压（5-10 V）E的按比例缩放的SONOS / MONOS（氮氧化硅半导体）/（氮氧化金属氧化物半导体）非易失性存储设备

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作者
Libsch, Frank Robert.;
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作者单位

Lehigh University.;

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授予单位 Lehigh University.;
学科 Electrical engineering.
学位 Ph.D.
年度 1989
页码 268 p.
总页数 268
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
入库时间 2022-08-17 11:50:44

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