Institute of Semiconductor Physics, Lavrentieva 13, 630090, Novosibirsk, Russia;
机译:通过注入氮或氧形成并在高压下退火的多层结构的电性能
机译:氧或氮离子注入产生的类绝缘体上硅结构中与压力有关的缺陷工程
机译:氧的结构-在高氩压力下> = 1400 K处理的注入的硅单晶
机译:在高压下施氮中形成的SOI样结构的电气特性
机译:大剂量氮注入在绝缘体结构上形成硅的研究
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的硅氧氮薄膜的微结构化学光学和电学性质的测量
机译:离子注入氧(硅,缺陷,绝缘体)形成的绝缘体上硅结构的特征。