Seoul National University, School of Materials Science and Engineering, San #56-1, Shillim-dong, Kwanak-ku, Seoul, 151-742, Korea;
机译:InP-DHBT-on-BiCMOS技术,用于异构集成毫米波源,具有$ f_ {T} / f_ {max} $的400/350 GHz
机译:在400 GHz上具有$ f_ {t} $和$ f_ {max} $的转移基板技术中的InP DHBT工艺
机译:具有42 GHz f / sub max /的4H-SiC MESFET
机译:4H-SIC平面MESFET,F_(MAX)为40 GHz而不陷入效果
机译:完全集成的240 GHz发射器和接收器,用于高数据速率通信=全集成的240 GHz发件人和具有高数据速率的通信推荐
机译:具有重掺杂区域的新型4H-SiC MESFET轻微掺杂的区域和绝缘区域
机译:4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管(4H-SiC MESFET)的俘获效应的模拟