Universite Montpellier 2, Institut d'Electronique du Sud - UMR 5214 CNRS, Place Eugene Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
rnUniversite Montpellier 2, Institut d'Electronique du Sud - UMR 5214 CNRS, Place Eugene Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, France;
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rnUniversite Montpellier 2, Institut d'Electronique du Sud - UMR 5214 CNRS, Place Eugene Bataillon, 34095 Montpellier Cedex 5, Franc;
laser diode; mid-infrared emission; molecular beam epitaxy; integration on silicon substrate;
机译:通过气体源分子束外延在GaAs / sub 0.6 / P / sub 0.4 /衬底上生长的黄色发射(573.5 nm)Ga / sub 0.65 / In / sub 0.35 / P激光器
机译:固体源分子束外延在硅衬底上生长的自催化GaAsP纳米线
机译:结合分子束外延/金属有机气相外延技术,硅衬底对II-VI缓冲Si上生长的MCT中缺陷形成的影响
机译:基于SB的激光源通过硅基板上的分子束外延生长
机译:砷化镓/铝(x)-砷化镓(1-x)量子阱激光器通过分子束外延生长在砷化镓和硅上。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:Al2O3(0001)衬底的解离以及硅和氧在气源分子束外延生长的N型Gan薄膜中的作用
机译:通过分子束外延在(775)B Inp衬底上生长的大量改进的自组织In(0.53)Ga(0.47)as量子线激光器