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机译:结合分子束外延/金属有机气相外延技术,硅衬底对II-VI缓冲Si上生长的MCT中缺陷形成的影响
Cadmium mercury telluride(CMT); mercury cadmium telluride(MCT); molecular beam epitaxy(MBE); metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE); silicon; polishing damage; infrared focal plane array;
机译:结合分子束外延/金属有机气相外延技术,硅衬底对II-VI缓冲Si上生长的MCT中缺陷形成的影响
机译:金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石(0001)和Si(111)衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
机译:金属有机气相外延和氨分子束外延在蓝宝石(0001)和Si(111)衬底上外延生长的GaN微细线和纳米线的极性
机译:ZnO缓冲层的作用在金属有机气相外延生长的ZnO上ZnO的性质
机译:纳米图案化硅上金属有机气相外延生长的(211)B碲化镉缓冲层的生长和表征,用于基于碲化汞的红外探测器。
机译:通过氢化物气相外延减少在纳米级蓝宝石衬底上生长的AlGaN中的缺陷
机译:衬底取向对金属有机气相外延生长Gasb生长速率,表面形貌和硅掺入的影响