ST Microelectronics 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles cedex, France;
N-MOSFETs; l/f; R.T.S fluctuations; saturation range; trap competition; multi-trap activities;
机译:利用RTS噪声分析表征氮化工艺引起的N-MOSFET氧化物陷阱
机译:l / f噪声测量在ULSI n-MOSFETs的近界面氧化物陷阱表征中的应用
机译:0.18μm技术的n-MOSFET的1 / f噪声从亚阈值到饱和
机译:陷阱竞争诱导R.T.S在N-MOSFET中饱和范围内的噪声
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:各种环境噪声(包括交通噪声飞机噪声和工业噪声)的响度级别的实用范围
机译:动态应力引起的n-mOsFET中1 / f噪声的降级增强