背面Ar^+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响

黄美浅; 李观启; 李斌; 曾绍鸿

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背面Ar^+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响

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研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响 .用低能量 ( 5 5 0eV)的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面 ,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度 .饱和区低频噪声的减小可用载流子迁移率模型解释 ,而线性区低频噪声的减小可用载流子数模型解释 ;其变化的原因可能与氩离子束背面轰击后反型层电子的有效迁移率、二氧化硅中的固定电荷密度以及硅二氧化硅界面的界面态密度的变化有关 .

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来源
《半导体学报》 |2003年第3期|307-311|共5页
作者
黄美浅; 李观启; 李斌; 曾绍鸿;
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作者单位

华南理工大学应用物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
n-MOSFET; 背面Ar^+轰击; 低频噪声; 迁移率; 界面态;

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