退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李观启; 黄美浅; 曾绍鸿; 曾旭;
华南理工大学应用物理系;
香港大学电机电子工程学系;
氩离子轰击; SiOxNy栅介质; n-MOSFET; 迁移率; 跨导;
机译:通过背面Ar / sup + /轰击提高具有氮化栅氧化物的n-MOSFET的迁移率
机译:跨导和跨导-电流比变化方法提取MOSFET阈值电压的研究:第一部分-依赖于栅极电压的迁移率的影响
机译:界面粗糙度散射对具有高k电介质/ SiO2栅堆叠的SiGe p-MOSFET迁移率降低的影响
机译:背面Ar / sup + /轰击对带有氮化栅氧化物的n-MOSFET的影响
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用掺Sr的Al2O3栅介质的高迁移率喷墨印刷铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:通过背面ar +轰击改善n-mOsFET与氮化栅极氧化物的迁移率
机译:具有氮化氧化物栅极电介质的mOsFET的反型层迁移率
机译:厚氧化物器件在MOSFET技术中用作薄氧化物跨导器件的共源共栅及其在功率放大器设计中的应用
机译:MOSFET技术中厚氧化物器件作为薄氧化物跨导器件的共源共栅的用途及其在功率放大器设计中的应用
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。