利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性

摘要

研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅