Department of Nano Science and Technology, University of Seoul, Seoul 130-743,Korea;
Department of Nano Engineering, University of Seoul, Seoul 130-743, Korea;
Department of Nano Science and Technology, University of Seoul, Seoul 130-743,Korea;
Department of physics, University of Seoul, Seoul 130-743, Korea;
Department of physics, University of Seoul, Seoul 130-743, Korea;
et al;
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:嵌入金属-氮化铝-氧化物-硅类型的镍纳米晶体低温度非易失性存储器应用的低温多晶硅薄膜晶体管
机译:PECVD生长的富硅氮化硅薄膜中嵌入的硅纳米晶体光致发光特性的退火温度依赖性
机译:在低温下嵌入嵌入于猫CVD的无定形碳化硅膜中的硅纳米晶体的特征,用于光电子应用
机译:研究4H-碳化硅-碳化硅上低温原子沉积的氧化物及其对碳化硅/二氧化硅界面的影响。
机译:碳化硅基薄膜中的原位生长六角形硅纳米晶体
机译:低温等离子体合成纳米晶体及其在结晶硅和锗薄膜生长中的应用
机译:离子注入和沉积非晶硅薄膜中固相结晶动力学