机译:陶瓷涂层工艺,尤其是碳化硅的PVD或PECVD,例如用于切削工具,半导体器件和太空旅行的应用,包括在远低于陶瓷熔化温度的条件下沉积非晶陶瓷层
公开/公告号DE19919010A1
专利类型
公开/公告日2000-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 METTLER-TOLEDO GMBH GREIFENSEE;
申请/专利号DE1999119010
申请日1999-04-27
分类号C23C14/35;C23C14/06;C23C16/32;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 01:42:06