National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO, USA 80305-3328;
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National Institute of Standards and Technology, 325 Broadway, Boulder, CO, USA 80305-3328;
GaN nanowires; molecular beam epitaxy; photoluminescence; growth mechanism;
机译:GaN纳米线的金属有机化学气相沉积:从催化剂辅助生长到无催化剂生长,从自组装到选择性区域生长
机译:新型ZnO / CuO核-壳纳米线异质结的无催化剂制备:受控的生长,结构和光电性质
机译:稀氮化物GaN
机译:无催化剂GaN纳米线生长型和电子表征
机译:等离子辅助分子束外延法制备无催化剂的Ⅲ族氮化物纳米线:生长,表征和应用
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:GA表面扩散在分子束外延生长催化剂GaN纳米线的伸长机理和光学性质中的作用
机译:无催化剂的GaN纳米线生长和光电特性