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一种无催化剂生长β-Ga2O3纳米线的方法

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摘要

本发明公开了一种无催化剂生长β‑Ga2O3纳米线的方法，是以水平管式炉作为反应装置，控制反应温度和气体流量等参数，通过VS生长机制获得高质量β‑Ga2O3纳米线。本发明的工艺简单、成本低廉、易于推广，且所得产物纯度高、电学和光学特性优异。

公开/公告号CN110217815A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-10

原文格式PDF
申请/专利权人合肥工业大学;
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申请/专利号CN201910618963.0
发明设计人谢超;陆星彤;马梦茹;罗林保;
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申请日2019-07-10
分类号C01G15/00(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/24(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0352(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司;
代理人卢敏
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号
入库时间 2023-06-18 07:05:52

1. 一种无催化剂生长β-Ga₂O₃纳米线的方法 [P] . 中国专利： CN110217815A . 2019-09-10
2. 无催化剂横向生长纳米线网电路的方法 [P] . 中国专利： CN104867868A . 2015-08-26
3. GROWING METHOD OF GaN NANO-WIRES BY USING AN Au CATALYST LAYER CAPABLE OF INDUCING VERTICAL GROWTH OF GaN NANO-WIRES INTO FIXED THICKNESS AND GROWTH LENGTH [P] . 韩国专利： KR20120100341A . 2012-09-12

机译：通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
4. Pulsed growth of catalyst-free growth of GaN nanowires and application in group III nitride semiconductor bulk material [P] . 美国专利： US8716045B2 . 2014-05-06

机译： GaN纳米线无催化剂生长的脉冲生长及其在III族氮化物半导体块体材料中的应用
5. Pulsed growth of catalyst-free growth of GaN nanowires and application in group III nitride semiconductor bulk material [P] . 美国专利： US8410496B2 . 2013-04-02

机译： GaN纳米线无催化剂生长的脉冲生长及其在III族氮化物半导体块体材料中的应用