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Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II
Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II
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1.
Coulomb staircase in fused semiconducting InP nanowiresunder light illumination
机译:
熔融半导体InP纳米线中的库仑阶梯 r n在光照下
作者:
Hidenori Yamada
;
Toshishige Yamada
;
Andrew J. Lohn
;
Nobuhiko P. Kobayashi
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
InP;
semiconducting nanowire;
Coulomb staircase;
illumination;
2.
Group IV nanomembranes and nanoepitaxy: New properties vialocal and global strain engineering
机译:
第四组纳米膜和纳米表观:通过局部和全局应变工程获得的新特性
作者:
Francesca Cavallo
;
Deborah M. Paskiewicz
;
Shelley A. Scott
;
MingHuang Huang
;
Max G. Lagally
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
semiconductor;
nanomembranes;
epitaxy;
silicon;
strain;
quantum dots;
3.
Growth of Metallic Nanowires on Nanoporous Alumina Templates:Nanocomb Structures
机译:
纳米多孔氧化铝模板上金属纳米线的生长: r n纳米梳状结构
作者:
Erdem Atar
;
Ravikiran V Vuppuluri
;
Savas Kaya
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Nanoporous alumina;
nanostructures;
nanowires;
electrochemical growth;
nanocombs,;
4.
Tuning of the electronic characteristics of ZnO nanowire transistorsand their logic device application
机译:
ZnO纳米线晶体管的电子特性调整及其逻辑器件应用
作者:
Woong-Ki Hong
;
Gunho Jo
;
Minhyock Choe
;
Woojin Park
;
Jongwon Yoon
;
Takhee Lee
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
ZnO nanowires;
field effect transistors;
electronic properties;
surface states;
operation mode;
proton irradiation;
logic circuit;
5.
Dislocation Reduction in CdTe Epilayers Grown on Silicon SubstratesUsing Buffered Nanostructures
机译:
硅衬底上生长的CdTe外延层中位错的减少 r n使用缓冲的纳米结构
作者:
Shashidhar Shintri
;
Sunil Rao
;
Huafang Li
;
Ishwara Bhat
;
Smita Jha
;
C. Liu
;
Thomas Kuech
;
Witold Palosz
;
Sudhir Trivedi
;
Fred Semendy
;
Priyalal Wijewarnasuriya
;
Yuanping Chen
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
CdTe epitaxy;
dislocation reduction;
nanoheteroepitaxy;
block co-polymer lithography;
interference lithography;
6.
Ⅲ-nitride nanowires: Growth, properties, and applications
机译:
Ⅲ族氮化物纳米线:生长,性质及应用
作者:
George T. Wang
;
Qiming Li
;
Jianyu Huang
;
A. Alec Talin
;
Yong Lin
;
llke Arslan
;
AndrewrnArmstrong
;
Prashanth C. Upadhya
;
Rohit P. Prasankumar
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
GaN;
nanowire;
solid-state lighting;
cathodoluminescence;
vapor-liquid-solid;
chemical vapor deposition;
InGaN;
templated growth;
7.
Temperature-Dependent Structural Characterization of Silicon <110>Nanowires
机译:
硅<110> r n纳米线的温度依赖性结构表征
作者:
Min-Ki Kwon
;
Ja-Yeon Kim
;
Logeeswaran VJ
;
Yi-Ju Teng
;
Hui-Lin Hsu
;
Patricia Abellan Baeza
;
llke Arslan
;
M. Saif Islam
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Si nanowire;
vapor liquid (VLS) solid method;
110;
orientation;
8.
Epitaxial Regrowth of Silicon for the Fabrication of Radial JunctionNanowire Solar Cells
机译:
用于径向结 r n纳米线太阳能电池的硅外延生长
作者:
Chito E. Kendrick
;
Sarah M. Eichfeld
;
Yue Ke
;
Xiaojun Weng
;
Xin Wang
;
Theresa S. Mayer
;
Joan M. Redwing
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Solar Cell;
Vapor Liquid Solid Growth;
CVD;
nanowires;
9.
Catalyst-free GaN Nanowire Growth and Optoelectronic Characterization
机译:
无催化剂的GaN纳米线的生长和光电特性
作者:
Kris A. Bertness
;
Norman A. Sanford
;
John B. Schlager
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
GaN nanowires;
molecular beam epitaxy;
photoluminescence;
growth mechanism;
10.
Tensile strained III-V self-assembled nanostructures on a (110) surface
机译:
(110)表面上的拉伸应变III-V自组装纳米结构
作者:
Minjoo Larry Lee
;
Paul J. Simmonds
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
islands;
quantum dots;
molecular beam epitaxy;
110;
11.
Surface Modification of Metal and Metal Coated Nanoparticles to InduceClustering
机译:
金属和金属包覆的纳米粒子的表面改性,以诱导 r n聚类
作者:
M.H. Gowda
;
O.J. Glembocki
;
S. Geng
;
S.M. Prokes
;
N. Garces
;
J.D. Caldwell
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Surface Enhanced Raman Scattering;
Absorption Surface Plasmon Resonance;
Au and Ag nanoparticles;
Cysteamine;
Organosulfur compounds.;
12.
Formation and Plasmonic Properties of silicon nanowire arrays producedby chemical etching
机译:
化学刻蚀产生的硅纳米线阵列的形成及其等离子特性
作者:
S.M. Prokes
;
Hua Qi
;
Jenny Yung
;
Orest Glembocki
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Si nanowires;
arrays;
etching;
SERS;
13.
In-situ chlorine passivation to suppress surface-dominant transport insilicon nanowire devices
机译:
原位氯钝化可抑制硅纳米线器件中的表面主导传输
作者:
Ja-Yeon Kim
;
Min-Ki Kwon
;
Logeeswaran VJ
;
Sonia Grego
;
M. Saif Islam
会议名称:
《Nanoepitaxy: Homo- and heterogeneous synthesis, characterization, and device integration of nanomaterials II》
|
2010年
关键词:
Si nanowire;
Passivation;
leakage current;
reliability;
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